實驗室用低壓化學氣相沉積設備使用注意事項

　　實驗室用低壓化學氣相沉積設備是通過加熱使氣態化合物在低壓下反應并沉積在基板表面，形成穩定的固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數大，可以采用密集加載，提高生產率，在基板表面獲得均勻性好的薄膜沉積層。LPCVD用于沉積多晶硅、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅和難熔金屬硅化物。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電、MEMS等行業。

　　1、溫度控制采用串級控制方式，實時控制實際基板溫度。

　　2、裝載采用碳化硅懸臂槳，避免與工藝管道摩擦產生粉塵。

　　3、反應氣分子供氣和群發供氣，避免氣相反應產生粉塵，提高均勻性。

　　4、工作壓力閉環自動控制，提高工藝穩定性和重復性。

　　實驗室用低壓化學氣相沉積設備采用雙層外殼和風冷系統，使爐體表面溫度低于55℃，并在爐體底部安裝一對滑軌。爐體可手動滑動，以滿足特殊工藝快速升溫和降溫的要求。使用注意事項如下：

　　1、爐管內氣壓不得高于0.02MPa

　　2、爐體溫度高于1000℃時，爐管不得處于真空狀態。爐管內的氣壓應與大氣壓相等。常壓下進入爐管的氣體流量應小于200sccm，以免冷空氣流對加熱的石英管產生影響

　　3、石英管長期使用溫度小于1100℃

　　4、實驗室用低壓化學氣相沉積設備對于樣品加熱實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進水閥。如果需要關閉氣閥來加熱樣品，請隨時注意壓力表的指示。如果氣壓指示大于0.02MPa，必須立即打開放空閥，以防發生意外（如爐管破裂、法蘭飛揚等）。