實驗室用快速退火爐實現真正的極速升溫和降溫！

　　實驗室用快速退火爐是在管式爐的基礎上開發的，它不僅具有更快的500℃/S的升溫速率，而且在冷卻速率上達到100℃/S的質的飛躍。它巧妙地使用了冷壁技術，從而達到了如此快的冷卻速度，真正實現了快速加熱和快速冷卻！

　　實驗室用快速退火爐的腔室采用*的雙層石英管結構，外管用于進氣，內管用于排氣，從而使反應氣氛與被處理物充分均勻地接觸。樣本。加熱燈管可以使硅芯片快速加熱的原因是，光源的波長在0.3-4微米之間，石英管壁無法有效吸收該波段的輻射，而晶片只是對面的。因此，晶片可以吸收輻射能并迅速加熱，而此時石英管壁仍保持低溫，即所謂的冷壁工藝。
 

　　1、快速升溫100℃/S，快速降溫100℃/S；

　　2、雙層爐管結構，氣氛與樣品接觸更均勻；

　　3、直接測量樣品表面溫度，溫度測量更準確；

　　4、爐子可以根據設定自動左右移動，可以滿足更多的實驗應用；

　　5、真空度可達7.4×10-4Pa。

　　基于處理的實驗室用快速退火爐可以存儲程序，每個程序可以支持100個設置步驟，并帶有接口，附帶的軟件與操作系統兼容。使用此軟件，可以通過鏈接到計算機輕松地實現程序編輯和數據記錄。

　　1、快速熱退火(RTA);離子注入后退火；

　　2、石墨烯等氣象沉積，碳納米管等外延生長；

　　3、快速熱氧化(,RTO);熱氮化(RTN);

　　4、硅化(Silicidation);

　　5、擴散(Diffusion);

　　6、離子注入后退火(ImplantAnnealing);

　　7、電極合金化(ContactAlloying);

　　8、晶向化和堅化(CrystallizationandDensification)。