說說特種材料靶材的原理和種類

　　*，特種材料靶材的技術發展趨勢與下游應用行業薄膜技術的發展趨勢密切相關。隨著應用行業對薄膜產品或組件技術的改進，目標技術也應發生變化。另外，近年來，平板顯示器（FPD）已大大取代了初基于陰極射線管（CRT）的計算機顯示器和電視。它還將顯著增加對ITO目標的技術和市場需求。另外在存儲技術方面。對高密度，大容量硬盤和高密度可重寫光盤的需求持續增長。所有這些都導致了應用行業對目標材料的需求發生了變化。下面我們將分別介紹目標的主要應用領域和這些領域中目標的發展趨勢。
 

　　特種材料靶材在濺射靶材（陰極）和陽極之間添加正交磁場和電場，并在高真空室內填充所需的惰性氣體（通常為Ar氣體）。永磁體在目標材料的表面上形成250-350高斯的磁場，該磁場與高壓電場形成正交的電磁場。在電場的作用下，氬氣會電離成正離子和電子。某個負高電壓被施加到目標。從靶發射的電子受到磁場的影響，工作氣體的電離概率增加，在陰極附近形成高密度等離子體。在洛倫茲力的作用下，Ar離子加速到目標表面并高速轟擊目標表面，從而使濺射出目標的原子遵循動量轉換原理，并以較高的動能從目標表面飛離。將基材沉積到薄膜中。磁控濺射一般分為兩種：直流濺射和射頻濺射。其中，直流濺射設備的原理很簡單，金屬濺射時速率也很快。射頻濺射的應用范圍更廣。除了濺射導電材料之外，還可以濺射非導電材料。同時，反應濺射可用于制備復合材料，例如氧化物，氮化物和碳化物。如果射頻的頻率增加，則變成微波等離子體濺射。如今，普遍使用電子回旋共振（ECR）型微波等離子體濺射。

　　特種材料靶材種類：

　　金屬濺射靶，合金濺射靶，陶瓷濺射靶，硼化物陶瓷濺射靶，碳化物陶瓷濺射靶，氟陶瓷濺射靶，氮化物陶瓷濺射靶，氧化物陶瓷靶，硒化物陶瓷濺射靶，硅化物陶瓷濺射靶，硫化物陶瓷濺射靶，碲化物陶瓷濺射靶材料，其他陶瓷靶，鉻摻雜的一氧化硅陶瓷靶（Cr-SiO），磷化銦靶（InP），砷化鉛靶（PbAs）），砷化銦靶（InAs）。